| Dostanou-li se dva polovodičové materiály typu P a N do ideálně
těsného styku, vytvoří přechod P-N. U polovodičů typu N
je mnohem vyšší koncentrace elektronů než děr a
rozhraním difundují elektrony do polovodiče typu P.
Obráceně difundují díry a zanechávají za sebou záporné ionty akceptoru. Na
rozhraní tak vzniká elektrická dvojvrstva (potenciálová bariéra).
© Copyright Simopt, s.r.o. 1999 - 2002
|
Aktuálně
Encyklopedie energie
Soutěž
Bheliom 
Menu
