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Text File  |  1989-01-14  |  3.2 KB  |  84 lines
  1.                Modeling the JFET for Micro-cap III
  2.             (c) copyright Spectrum Software 1988-1989
  3.                           January 1989
  4.  
  5. Input parameters for JFET:
  6.  
  7. VTO       Threshold voltage (Volts).
  8. Beta      Transconductance parameter (A/V^2).
  9. Lambda    Channel-length modulation (1/V).
  10. RD        Drain ohmic resistance (ohms).
  11. RS        Source ohmic resistance (ohms).
  12. Cgs       Zero-bias gate-source junction capacitance (Farads).
  13. Cgd       Zero-bias gate-drain junction capacitance (Farads).
  14. PB        Gate-junction potential (volts).
  15. IS        Gate-junction saturation current (Amperes).
  16. FC        Coefficient for forward-bias depletion
  17.           capacitance formula.
  18. KF        Flicker-noise coefficient.
  19. AF        Flicker-noise exponent.
  20.  
  21. *  Zero-bias threshold voltage (VTO);  This parameter can be
  22. computed in the same way as the VTO in the MOSFET model.  The
  23. threshold voltage for the JFET is usually given in the tables
  24. found in most databooks.  For N-channel devices, VTO should be
  25. entered as a negative value.  For P-channel devices, VTO should
  26. be entered as a positive value.
  27.  
  28. *  Transconductance parameter (Beta):  This parameter can be
  29. computed directly from the tables given in databooks.  Beta is
  30. computed from Idss and Vp (pinch-off voltage).  
  31.  
  32. *  Ohmic resistance for the JFET models.  Both RS and RD can be
  33. entered directly into the PEP or Micro-Cap III libraries.  Note
  34. that a non-zero value for either RS and RD will cause a decrease
  35. in drain current.  By default, RS and RD are set to 0 ohms.
  36.  
  37. *  Zero-bias gate-source capacitance (Cgs):  For this
  38. computation, Micro-cap III assumes a fixed value of 0.5 for the
  39. grading coefficient.  To compute Cgs, you need the following
  40. parameters: Ciss, Crss and Vgs(Ciss).  These are usually given in
  41. most databooks.  PB is assumed to be 1 volt or it can be changed
  42. by the user.  Please refer to the reference manual for further
  43. information.
  44.  
  45.  
  46.  
  47. *  Zero-bias gate-drain capacitance (Cgd):  Cgd is computed from
  48. Crss and Vdg(Crss).  The built-in potential (PB) is assumed to be
  49. 1 volt for the example shown in the manual.  This parameter can
  50. be changed by the user.
  51.  
  52. Notes:
  53. ------
  54. Most of the above parameters can be obtained from the electrical
  55. characteristics and small-signal characteristics tables given in
  56. databooks.  
  57.  
  58. Remember to enter VTO as a negative value for N-channel device
  59. and positive value for P-channel device.
  60.  
  61. The parameter FC should be set to 0.5.  Refer to the reference
  62. manual for further information on the effects of FC.
  63.  
  64.  
  65.  
  66.                JFET model parameters flow diagram
  67.  
  68.                   Enter Threshold voltage (VTO)
  69.      (or) compute VTO from graph using same method as MOSFET
  70.                                 |
  71.                           Compute BETA
  72.                       Vp(BETA), Idss(BETA)
  73.                                 |
  74.                    Enter drain resistance (RD)
  75.                                 |
  76.                   Enter source resistance (RS)
  77.                                 |
  78.                            Compute Cgd
  79.                          Crss, Vdg(Crss)
  80.                                 |
  81.                            Compute Cgs
  82.                          Ciss, Crss, Vgs
  83.  
  84.