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/ NetNews Usenet Archive 1993 #3 / NN_1993_3.iso / spool / sci / electron / 23568 < prev    next >
Encoding:
Internet Message Format  |  1993-01-28  |  1.3 KB
  1. Path: sparky!uunet!math.fu-berlin.de!fauern!rz.unibw-muenchen.de!claude
  2. From: claude@bauv.unibw-muenchen.de (Claude Frantz)
  3. Newsgroups: sci.electronics
  4. Subject: Re: Voltage drop across 1N4148 diode?
  5. Date: 28 Jan 93 06:46:22 GMT
  6. Organization: University of the armed forces, Munich
  7. Lines: 26
  8. Message-ID: <claude.728203582@bauv106>
  9. References: <4u8lJfA3SL@tron.gun.de> <1993Jan21.101200.8651@mr.med.ge.com>
  10. NNTP-Posting-Host: bauv106.bauv.unibw-muenchen.de
  11.  
  12. szopinsk@picard.med.ge.com (Jerry Szopinski Mfg 4-6983) writes:
  13.  
  14. >The voltage drop across the 1N4148 diode depends on what type of
  15. >semiconductor material it is made of.  
  16.  
  17. According to the data sheet, it is allways made of silicon.
  18.  
  19. >If the diode is made of
  20. >germanium (no, not the flowers) the drop is around 0.7V; if it
  21. >is made of silicon then the drop is around 0.5V.
  22.  
  23. The voltage drop across a Ge diode is about 0.2 V, across a Si
  24. diode about 0.65 V, depending on the current, the temperature and
  25. the exact structure.
  26.  
  27. >The 1N4148 is usually used in computer applications and most
  28. >general purpose circuit board applications where small currents
  29. >are used.  I agree that the 1N4001 would be a better diode for
  30. >this particular application.
  31.  
  32. The 1N4148 is a high speed diode intended for switching applications,
  33. the 1N4001 is intended for rectifier circuits at low frequencies.
  34.  
  35. Regards,
  36.  
  37. Claude
  38.