Informace, které se u nás i na jiných hardwarových serverech objevují, se z převážné většiny týkají frekvencí, rychlosti sběrnice, počtu tranzistorů apod., ale v kořenech všech těchto aspektů leží složité výrobní procesy a technologie. R&D (research and development = výzkum a vývoj) sekce společnosti AMD nyní představila na IEDM v San Franciscu technologie, které opět podpoří výrobu procesorů a jejich rychlost. Výsledky výzkumu naleznou své uplatnění nejdříve v roce 2005.

Tranzistory další generace

Na meetingu v San Franciscu byly k vidění dokumenty ukazující pokroky ve výzkumu tranzistorů další generace. Tranzistory jsou základní polovodičové součástky sloužící k usměrňování elektrického proudu pomocí přechodů (nebo-li bran, v originále „gate“). Spolupráce s Kalifornskou univerzitou v Berkley vyústila v nový typ tranzistoru, který časem nahradí dnešní rovinné tranzistory.

Nově vyvinuté struktury se nazývají Fin Field Effect Transistor (FinFET) a používají vertikální křemíkový „fin“ (v doslovném překladu ploutev) sloužící k vytvoření dvou přechodů namísto jednoho. Důsledkem aplikace této struktury je umožnění průchodu dvojnásobného množství elektrického proudu, což zlepšuje přepínací schopnosti. V praxi to znamená, že bude možné zvýšit výkon a zmenšit výrobní proces. Již v září byl předveden funkční FinFET s délkou přechodu 10nm.

Další dokumenty informovali o použití kovových přechodů, na místo standardních křemíkových struktur. Využití sloučenin na bázi niklu povede k dalšímu zlepšení elektrických vlastností tranzistorů a tím i zvýšení jejich výkonu. Při důkladné aplikaci kovových přechodů odpadá nutnost používání příměsí, které se dnes umisťují pod tranzistor k dosažení ideálních vlastností. Bez příměsí je vedení elektrického proudu lepší a navíc je tento niklový proces poměrně levný.

Flash pam─¢ti

Na vývoji technologií pro flash paměti spolupracuje AMD pro změnu se Stanfordskou univerzitou a společně předvedli na IEDM strukturu paměťové buňky umožňující překonat bariéru 65nm. Nová struktura používá k uchování elektrického náboje  drobné „nanodrátky“ z křemíku široké kolem 5nm. Při těchto rozměrech se mění chování paměťových buněk, ale přesto jsou data v buňkách pevně uložena. Za těchto okolností se zvyšuje kapacita flash pamětí, rychlost zápisu a mazání stoupá a snižuje se spotřeba.