ZkouÜeΦka tranzistor∙

P°φpravek je urΦen k rychlΘmu zjiÜt∞nφ, zda je tranzistor dobr² nebo vadn². Tato zkouÜeΦka se hodφ i p°i opravßch p°φstroj∙, nebo¥ jφ lze zkouÜet tranzistory malΘho v²konu, zapßjenΘ v desce. P°epφnaΦ funkcφ zkouÜeΦky mß t°i polohy. V prvΘ se provßdφ rychlß zkouÜka vodivosti ve druhΘ se orientaΦn∞ m∞°φ I_CB0 a ve t°etφ stejnosm∞rn² zesilovacφ Φinitel B, kter² se p°ibli₧n∞ rovnß h_21e. Rychlou zkouÜku (prvnφ poloha p°epφnaΦe) lze provßd∞t i s tranzistory, zapßjen²mi v desce. P°i m∞°enφ I_CB0 a B musφ b²t tranzistor odpojen, aby nic neovliv≥ovalo m∞°enφ.

Poloha p°epφnaΦe	ZjiÜ¥ovanΘ parametry
1	rychl² test rozpoznßnφ typu vodivosti na NPN/PNP test zda nenφ tranzistor zkratovan² nebo p°eruÜen² zkouÜka spφnacφ schopnosti - test, zda je saturaΦnφ nap∞tφ menÜφ ne₧ 0,4 V
2	m∞°enφ I_CB0 p°i U_CB=5V
3	m∞°enφ B stejnosm∞rnΘ zesφlenφ p°i I_B=0,01mA

TechnickΘ ·daje

P°esnost m∞°enφ: 5% p°i pou₧itφ voltmetru s p°esnostφ 1%
Napßjecφ nap∞tφ: 5V stabilizovan²ch (z dφlenskΘho zdroje nebo vyveden²ch z PC)
Spot°eba proudu: 20 mA.

Nßvod k pou₧itφ zkouÜeΦky

K p°φstroji p°ipojφme voltmetr, jeho₧ vstupnφ odpor je 10 megaohm∙, p°epnut² na rozsah 200 mV. Vhodn² je elektronkov² ruΦkov² voltmetr nebo Φφslicov² multimetr. Pokud st°φdav∞ zkouÜφme tranzistory typu NPN a PNP, je v²hodnΘ, kdy₧ mß voltmetr automatickΘ p°epφnßnφ polarity nebo nulu uprost°ed, abychom nemuseli stßle p°ehazovat p°φvody. U digitßlnφch voltmetr∙ je to b∞₧nΘ, u ruΦkov²ch ne tak Φasto.
Zapneme napßjenφ p°φstroje, p°epφnaΦ funkcφ dßme do polohy 1 a p°ipojφme zkouÜen² tranzistor. Pokud je v po°ßdku, blikß jen jedna ze dvou svφtiv²ch diod. Je-li tranzistor typu NPN, blikß D3, pokud je typu PNP, blikß D4. Kdy₧ je p°eruÜen nebo mß p°φliÜ velkΘ saturaΦnφ nap∞tφ, blikajφ ob∞ diody, pokud mß zkrat mezi kolektorem a emitorem, neblikß ₧ßdnß dioda.
V²jimku tvo°φ n∞kterΘ typy germaniov²ch tranzistor∙, kterΘ se mohou jevit vadnΘ, i kdy₧ jsou v po°ßdku. Tyto tranzistory je t°eba zkouÜet jin²m zp∙sobem. GermaniovΘ vysokofrekvenΦnφ MESA tranzistory se mohou jevit jako p°eruÜenΘ, i kdy₧ jsou dobrΘ, nebo¥ jejich saturaΦnφ nap∞tφ je v∞tÜφ, asi okolo 0.5 a₧ 1 V. V²konovΘ germaniovΘ tranzistory zase mohou mφt tak velk² zbytkov² proud I_CE0, ₧e ze zdajφ zkratovanΘ, i kdy₧ jsou v po°ßdku. Pokud zkouÜφme tranzistor zapojen² v desce, pro sprßvn² pr∙b∞h testu je nutnΘ, aby odpory v obvodu bßze byly v∞tÜφ ne₧ p°ibli₧n∞ 1 kiloohm a odpory v kolektorovΘm obvodu nebyly menÜφ ne₧ asi 100 ohm∙.
Jevφ-li se tranzistor dobr²m, p°epφnaΦem S1 nastavφme polaritu napßjenφ podle toho, zda tranzistor je typu NPN nebo PNP. P°epφnaΦ funkcφ p°epneme do druhΘ polohy a zm∞°φme zbytkov² proud I_CB0. Zm∞°enΘmu nap∞tφ 1 mV odpovφdß zbytkov² proud 1 nA. Pokud zbytkov² proud nep°ekraΦuje p°edepsanou velikost, p°epneme p°epφnaΦ funkcφ do t°etφ polohy a zm∞°φme stejnosm∞rnΘ zesφlenφ B. Nap∞tφ v milivoltech odpovφdß p°φmo zesilovacφ Φinitel. P°i m∞°enφ tranzistor∙ se zesφlenφm v∞tÜφm ne₧ 200, nap°. KC509, p°epneme voltmetr na vyÜÜφ rozsah.
Zbytkov² proud I_CB0 vypovφdß mnoho o kvalit∞ a stupni opot°ebenφ tranzistoru. ╚ßsteΦnΘ poÜkozenφ tranzistoru nap°. p°eh°ßtφm, pr∙razem vysok²m nap∞tφm nebo korozφ p°i net∞snosti pouzdra se nemusφ projevit na jeho spφnacφch vlastnostech ani na zesilovacφm Φiniteli, ale obvykle zp∙sobφ zv∞tÜenφ zbytkovΘho proudu. SchΘma zkouÜeΦky tranzistor∙

Popis principu Φinnosti

ZkouÜka vodivosti

Integrovan² obvod spolu s kondenzßtory C1, C2 a diodami D1 a D2 tvo°φ astabilnφ klopn² obvod, kmitajφcφ na nφzkΘm kmitoΦtu n∞kolik Hz. LogickΘ ·rovn∞ na obou v²stupech jsou v₧dy opaΦnΘ, tak₧e mezi ob∞ma v²stupy se vyskytuje st°φdavΘ nap∞tφ obdΘlnφkovΘho pr∙b∞hu.
Pokud nenφ p°ipojen tranzistor, nebo je tranzistor p°eruÜen, st°φdav² proud prochßzφ z jednoho v²stupu multivibrßtoru p°es odpor R5 a svφtivΘ diody D3, D4 do druhΘho v²stupu multivibrßtoru. P°i jednΘ p∙lvln∞ svφtφ D4, p°i druhΘ D3, ob∞ diody st°φdav∞ blikajφ.
P°ipojφme-li dobr² tranzistor NPN, v prvnφ p∙lvln∞, kdy je na hornφm v²stupu multivibrßtoru (v²stup hradla IC1B) kladnΘ nap∞tφ, se p°es odpor R4 dostane do bßze proud a tranzistor se otev°e. Proud z odporu R5 nynφ protΘkß p°es diody D5, D6 a kolektor tranzistoru do jeho emitoru, kde odchßzφ do druhΘ svorky multivibrßtoru. ┌bytek nap∞tφ na otev°enΘm tranzistoru plus ·bytky na D5 a D6 jsou menÜφ ne₧ nap∞tφ, pot°ebnΘ k tomu, aby zaΦala vΘst LED dioda D4, kterß pot°ebuje nejmΘn∞ 1,6V. Proto D4 nesvφtφ. Ve druhΘ p∙lvln∞ je na bßzi tranzistoru zßpornΘ nap∞tφ v∙Φi emitoru, tranzistor je nevodiv² a proud teΦe p°es D3, kterß svφtφ.
P°i zkouÜenφ tranzistoru PNP nastßvß stejn² d∞j, ale p°i opaΦnΘ polarit∞, tak₧e blikß dioda D4.
Je-li tranzistor zkratovan², v obou p∙lvlnßch prochßzφ proud p°es diody D5, D6 nebo D7, D8 a zkratovan² tranzistor. ┌bytek na diodßch D5 a D6, nebo D7 a D8 je tak mal², ₧e LED diody nesvφtφ.

M∞°enφ I_CB0

P°i m∞°enφ tranzistoru NPN je emitor tranzistoru je odpojen, bßze spojena se zßporn²m p≤lem zdroje a kolektor je p°ipojen p°es boΦnφk s m∞°icφm p°φstrojem ke kladnΘmu p≤lu. BoΦnφk je tvo°en sΘriovou kombinacφ rezistor∙ R1 a R2. Paralelnφ spojenφ boΦnφku (R1+R2) s vnit°nφm odporem m∞°icφho p°φstroje 10 megaohm∙ dßvß odpor 1 megaohm. Pr∙tokem zbytkovΘho proudu tφmto odporem na n∞m vznikß ·bytek nap∞tφ, kter² se m∞°φ voltmetrem.
Nap∞tφ v milivoltech odpovφdß zbytkovΘmu proudu v nanoampΘrech.
P°i m∞°enφ tranzistoru PNP je polarita napßjenφ opaΦnß, jinak se m∞°φ stejn∞.

M∞°enφ proudovΘho zesφlenφ

P°i m∞°enφ NPN tranzistoru je emitor p°ipojen k zßpornΘ svorce zdroje. Do bßze se p°ivßdφ p°es odpor R3 proud 10 mikroampΘr. Vzhledem k tomu, ₧e napßjecφ nap∞tφ je stabilizovanΘ a nap∞tφ U_BE se u r∙zn²ch tranzistor∙ liÜφ jen nepatrn∞, nap∞tφ na odporu R3 kolφsß jen nepatrn∞, tak₧e proud jφm protΘkajφcφ je tΘm∞° stßl². Stejnosm∞rn² zesilovacφ Φinitel m∞°φme tak, ₧e m∞°φme velikost kolektorovΘho proudu a d∞lφme ho proudem bßze. Proud m∞°φme op∞t m∞°icφm p°φstrojem s boΦnφkem R1. Ten je vypoΦten tak, aby proudu 10 uA odpovφdalo nap∞tφ 1 mV na svorkßch voltmetru. Proto nemusφme nic p°epoΦφtßvat, ·daj v milivoltech odpovφdß p°φmo zesilovacφmu Φiniteli. Abychom nemuseli pou₧φvat Φty°p≤lov² p°epφnaΦ funkcφ, odpor R2 se neodpojuje. P°i m∞°enφ zesφlenφ zde R2 p∙sobφ jako p°ed°adnφk, sni₧ujφcφ citlivost voltmetru. Proto musφ b²t boΦnφk R1 v∞tÜφ, mφsto 100 ohm∙ mß 111,1 ohm∙.

Stavba a o₧ivenφ

Pou₧itΘ souΦßstky

Na parametrech souΦßstek p°φliÜ nezßle₧φ, jen odpory R1, R2 a R3 musφ b²t vybrßny nebo posklßdßny na nφ₧e uvedenΘ hodnoty s tolerancφ 1%:
R1=111,1 ohm∙
R2=1,111 Mohm∙
R3=440 kohm∙
Na schematu jsou uvedeny nejbli₧Üφ hodnoty z °ady E24. Vezmeme vφce 5% odpor∙ a vybereme z nich co nejp°esn∞ji ₧ßdanΘ hodnoty. Pokud koupφme p°esnΘ 1% odpory 110R, 1M1 a 430k, jak je psßno ve schΘmatu, a nevybφrßme je, chyba m∞°enφ se zv∞tÜφ o 1%. P°i rychl²ch zkouÜkßch tranzistor∙ ale horÜφ p°esnost nevadφ.

Montß₧ a o₧ivenφ

P°φstroj jsem postavil na univerzßlnφ destiΦku, proto neuvßdφm v²kres ploÜn²ch spoj∙. ZkouÜeΦka by m∞la fungovat na prvnφ zapojenφ, ale m∙₧e se stßt, ₧e LED diody budou trochu svφtit i p°i zkouÜenφ dobrΘho k°emφkovΘho tranzistoru. Nap∞tφ, p°i kterΘm LED diody zaΦφnajφ vΘst se u r∙zn²ch typ∙ liÜφ a to m∙₧e zp∙sobit tuto zßvadu. Potom zkuste pokusn∞ vym∞nit diody D5, D6, D7 a D8 za jinΘ (jin² kus stejnΘho typu nebo jin² typ), kterΘ majφ menÜφ ·bytek v propustnΘm sm∞ru.

Zp∞t na obsah JenφΦkov²ch radiotechnick²ch strßnek

Strßnku vytvo°il Ing. Petr JenφΦek. Zapojenφ, slou₧φcφ k testu dobr²/Üpatn² bylo p°evzato z AmatΘrskΘho Radia A6/1993, jen byly upraveny hodnoty n∞kter²ch souΦßstek.

P°φpadnΘ dotazy posφlejte na adresu pjenicek@seznam.cz